Paradigm Technology Inc PDM41258S20D
- 收藏
- 对比
PDM41258S20D
1610-PDM41258S20D
存储器
--
大陆
立即发货

Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CDIP24
1最小包装量--
PDM41258S20D详情
Paradigm Technology Inc PDM41258S20D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
PARADIGM TECHNOLOGY INC
Package Description
DIP, DIP24,.3
Access Time-Max
20 ns
Number of Words
65536 words
Number of Words Code
64000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
CERAMIC
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP24,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T24
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.18 mA
组织结构
64KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
PDM41258S20D拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。