Philips BSD215

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

0.05 A

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Manufacturer

恩智浦半导体

Manufacturer Part Number

BSD215

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

125 °C

Package Body Material

METAL

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.84

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SUBSTRATE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-72

漏极-源极导通最大电阻

45 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR