BSY55详情
Philips BSY55重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
底座安装
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Box
厂商
美国赛特勒
Product Status
活跃
Contact Materials
Silver Cadmium Oxide (AgCdO)
CoilResistance
3.8 kOhms
Package Description
TO-39, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BSY55
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.38
Part Package Code
TO-39
操作温度
-40°C ~ 65°C
系列
AZ2800
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
终端样式
Quick Connect - 0.187 (4.7mm)
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
触点形式
DPDT (2 Form C)
晶体管应用
SWITCHING
继电器类型
通用型
极性/通道类型
NPN
运行时间
25 ms
线圈电压
240VAC
线圈型
无锁存
切换电压
600VAC, 30VDC - Max
JEDEC-95代码
TO-39
线圈电流
16.7 mA
发布时间
25 ms
必须运行电压
192 VAC
触点额定值(电流)
40 A
必须释放电压
48 VAC
密封等级
Sealed - Fully
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
80 V
线圈绝缘
F级
VCEsat-最大值
0.6 V
集电极-基极电容-最大值
10 pF
特征
-
BSY55拓展信息








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