BYD33V详情
Philips BYD33V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
Radial, Can - 3 Lead
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
表面贴装的焊盘尺寸
--
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
385V
Lifetime @ Temp.
15000 Hrs @ 85°C
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BYD33V
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Forward Voltage-Max (VF)
1.3 V
Risk Rank
5.68
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
052 PED-PW
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.984 Dia (25.00mm)
容差
-10%, +30%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
ECCN 代码
EAR99
应用
通用型
电容量
68µF
子类别
研磨二极管
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
IEC-134
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
1.64 Ohm @ 100Hz
引线间距
0.492 (12.50mm)
配置
SINGLE
极化
Polar
阻抗
1.1 Ohms
二极管类型
接收电极
纹波电流@低频
670mA @ 100Hz
箱体转运
ISOLATED
输出电流-最大值
1.26 A
Rep Pk反向电压-最大值
1400 V
最大非代表Pk前进电流
20 A
反向恢复时间-最大值
0.5 µs
座位高度(最大)
1.772 (45.00mm)
评级结果
--
BYD33V拓展信息








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