Philips NE645BN

安装类型

表面贴装

包装/外壳

168-LBGA

表面安装

NO

供应商器件包装

168-FBGA (13.5x13.5)

终端数量

16

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

DIP, DIP16,.3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP16,.3

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NE645BN

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Philips Semiconductors

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Risk Rank

5.92

操作温度

-40°C ~ 95°C (TC)

系列

-

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

噪声抑制集成电路

技术

RLDRAM 3

电压 - 供电

1.28V ~ 1.42V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T16

资历状况

不合格

电源

12 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

576Mbit

时钟频率

800 MHz

访问时间

8 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

消费者集成电路类型

杜比降噪芯片

组织的记忆

16M x 36