Philips Semiconductors 74AHC1G86GW

表面安装

YES

终端数量

5

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

75A

Case

MiniSKiiP® 2

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

150A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

55 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TSSOP

Package Equivalence Code

TSSOP5/6,.08

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

JESD-609代码

e3

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G5

资历状况

不合格

温度等级

AUTOMOTIVE

拓扑

IGBT three-phase bridge,

逻辑IC类型

XOR门

最大 I(ol)

0.008 A

Prop. Delay@Nom-Sup

11.5 ns

施密特触发器

NO

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

2 V

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

饱和电流

1