Philips Semiconductors BF840

表面安装

YES

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

380 MHz

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

diode/transistor

Max. off-state voltage

0.6kV

Collector current

300A

Case

SEMITRANS3

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

600A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

325 g

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

配置

SINGLE

拓扑

boost chopper

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.28 W

集电极电流-最大值(IC)

0.025 A

最小直流增益（hFE）

65

第二个连接器加载的位置数

for UPS,