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Philips Semiconductors BGD812
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BGD812
1891-BGD812
射频放大器
--
大陆
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid,
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BGD812详情
Philips Semiconductors BGD812重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Operating Temperature-Max
100 °C
Operating Temperature-Min
-20 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOT-115J
Reach合规守则
unknown
电源
24 V
电源电流-最大值
410 mA
BGD812拓展信息
Philips
哦! 它是空的。