Philips Semiconductors BLF245
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BLF245
1891-BLF245
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
BLF245详情
Philips Semiconductors BLF245重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
第一种连接器安装类型
Free Hanging (In-Line)
电缆材料
Polyvinyl Chloride (PVC)
第二个连接器安装类型
Free Hanging (In-Line)
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Package Description
,
Drain Current-Max (ID)
6 A
Operating Temperature-Max
200 °C
系列
BC
包装
Box
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
颜色
Black
屏蔽/屏蔽
Unshielded
入口保护
IP67 - Dust Tight, Waterproof
Reach合规守则
unknown
线规
Round
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
使用方法
工业环境
极性/通道类型
N-CHANNEL
第一个连接器性别
公引脚
第一个连接器加载的位置数
All
第一种连接器类型
Receptacle
第一个连接器的位置数
3
装配配置
Standard
第二个连接器类型
Plug
第一个连接器方向
A
第一个连接器外壳尺寸 - 插入
M8
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
68 W
第二连接器性别
内螺纹插座
第二个连接器位置数
3
第二个连接器加载的位置数
All
第二个连接器方向
A
第二个连接器外壳尺寸 - 插入
M8
长度
16.40' (5.00m)
BLF245拓展信息
North American Philips Discrete Products Div
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
North American Philips Discrete Products Div
Philips Semiconductors
North American Philips Discrete Products Div
North American Philips Discrete Products Div
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