Philips Semiconductors BZV55-B10

表面安装

YES

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

diode/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

200A

Case

MiniSKiiP® 2

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

600A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

55 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Operating Temperature-Max

200 °C

Reference Voltage-Nom

10 V

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.10.00.50

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

拓扑

boost chopper

最大电压允差

2%

工作测试电流

5 mA

动态阻抗-最大值

20 Ω

输出范围

0.5 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,