PHILIPS SEMICONDUCTORS HEF4720VD
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HEF4720VD
1891-HEF4720VD
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HEF4720VD详情
PHILIPS SEMICONDUCTORS HEF4720VD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
Operating Temperature (Max.)
85°C
Operating Temperature (Min.)
-40°C
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54mm
JESD-30代码
R-XDIP-T16
资历状况
不合格
电源
4.5/12.5V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
256X1
输出特性
3-STATE
内存宽度
1
访问时间(最大)
580 ns
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HEF4720VD拓展信息







哦! 它是空的。