PHILIPS SEMICONDUCTORS PCD8582DP

表面安装

NO

终端数量

8

Operating Temperature (Max.)

70°C

Operating Temperature (Min.)

-25°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

不合格

电源

3.3/5V

温度等级

OTHER

电源电流-最大值

0.0025mA

组织结构

256X8

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0000035A

记忆密度

2048 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

I2C

耐力

10000 Write/Erase Cycles

数据保持时间

10

I2C控制字节

1010DDDR

RoHS状态

Non-RoHS Compliant