Philips Semiconductors PDTD113ET
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PDTD113ET
1891-PDTD113ET
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
1最小包装量--
PDTD113ET详情
Philips Semiconductors PDTD113ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
Reach合规守则
unknown
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
33
PDTD113ET拓展信息
Philips
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