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PHILIPS SEMICONDUCTORS PHD20N06T
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PHD20N06T
1891-PHD20N06T
无类别的
--
大陆
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PHD20N06T datasheet pdf and Unclassified product details from PHILIPS SEMICONDUCTORS stock available at utmel
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PHD20N06T详情
PHILIPS SEMICONDUCTORS PHD20N06T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
175°C
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
51W
RoHS状态
符合RoHS标准
PHD20N06T拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。