Philips Semiconductors PHD50N06LT
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PHD50N06LT
1891-PHD50N06LT
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
PHD50N06LT详情
Philips Semiconductors PHD50N06LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Package Description
,
Drain Current-Max (ID)
50 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
PHD50N06LT拓展信息
North American Philips Discrete Products Div
Philips Semiconductors
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