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PHILIPS SEMICONDUCTORS PHKD6N02LT
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PHKD6N02LT
1891-PHKD6N02LT
无类别的
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大陆
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PHKD6N02LT详情
PHILIPS SEMICONDUCTORS PHKD6N02LT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
JESD-609代码
e4
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2W
RoHS状态
符合RoHS标准
PHKD6N02LT拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。