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PHILIPS SEMICONDUCTORS PHT1N60R
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PHT1N60R
1891-PHT1N60R
无类别的
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大陆
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PHT1N60R datasheet pdf and Unclassified product details from PHILIPS SEMICONDUCTORS stock available at utmel
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PHT1N60R详情
PHILIPS SEMICONDUCTORS PHT1N60R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.53A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8W
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
PHT1N60R拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。