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PHILIPS SEMICONDUCTORS PHW80NQ10T
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PHW80NQ10T
1891-PHW80NQ10T
无类别的
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大陆
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PHW80NQ10T详情
PHILIPS SEMICONDUCTORS PHW80NQ10T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
Operating Temperature (Max.)
175°C
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
263W
RoHS状态
符合RoHS标准
PHW80NQ10T拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。