PHILIPS SEMICONDUCTORS PSMN070-200P
- 收藏
- 对比
PSMN070-200P
1891-PSMN070-200P
无类别的
--
大陆
立即发货

PSMN070-200P datasheet pdf and Unclassified product details from PHILIPS SEMICONDUCTORS stock available at utmel
1最小包装量--
PSMN070-200P详情
PHILIPS SEMICONDUCTORS PSMN070-200P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
Operating Temperature (Max.)
175°C
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
33A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
230W
RoHS状态
符合RoHS标准
PSMN070-200P拓展信息







哦! 它是空的。