Phoenix Contact CEI655N
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CEI655N
1894-CEI655N
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CEI655N详情
Phoenix Contact CEI655N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
CEI655N
Turn-on Time-Max (ton)
135 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Chino-Excel Technology Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CO LTD
Turn-off Time-Max (toff)
170 ns
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
15 A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15 A
漏极-源极导通最大电阻
0.153 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
83 W
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
环境耗散-最大值
83 W
CEI655N拓展信息







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