Power Warehouse EPHCQ62X9OE1795

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220AB

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

厂商

International Rectifier

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

140A (Tc)

Package

Bulk

系列

HEXFET®

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5mOhm @ 71A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3720 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

76 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

-