Pulse LP2305DSLT1G

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

LP2305DSLT1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

LRC Leshan Radio Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

LESHAN RADIO CO LTD

Risk Rank

5.62

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

附加功能

超低电阻

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.068 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

8 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.225 W