Qualcomm B39202AE42BP810

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

供应商器件包装

SOT-227B

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

600W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HiPerFET™

包装

Tube

零件状态

活跃

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

240 mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

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