BTH3-15-10-1-ZN-AD-CV4详情
Raychem BTH3-15-10-1-ZN-AD-CV4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
8-SOIC
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
厂商
Vishay Siliconix
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
33A (Tc)
Base Product Number
SI4456
Package
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5670 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
122 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
40 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BTH3-15-10-1-ZN-AD-CV4拓展信息








哦! 它是空的。