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Renesas 0600NS

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型号

0600NS

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-0600NS

商品类别

无类别的

封装

16-TFLGA Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

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0600NS详情

Renesas 0600NS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    16-TFLGA Exposed Pad

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    16-LGA (3x3)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Renesas Electronics America Inc

  • Product Status

    Obsolete

  • Frequency-Max

    325MHz

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    PRSS0003AK-A3

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    N0600N-S17-AY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.79

  • Part Package Code

    MP-45F

  • Drain Current-Max (ID)

    30 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    PhiClock™

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    时钟发生器

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 电压 - 供电

    1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 输出量

    HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    Renesas

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 电路数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal

  • 比率-输入:输出

    1:2

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    30 A

  • 锁相环

  • 差分 - 输入:输出

    No/Yes

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.036 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    12.5 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    20 W

  • 除法器/乘法器

    Yes/No

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0600NS拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS