2SK1336TZ-E详情
Renesas 2SK1336TZ-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK1336TZ-E
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.68
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
0.3 A
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3 A
漏极-源极导通最大电阻
2.5 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
达到SVHC
unknown
2SK1336TZ-E拓展信息








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