2SK679A-AZ详情
Renesas 2SK679A-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
0.5 A
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Manufacturer Part Number
2SK679A-AZ
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.4
Rohs Code
有
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
附加功能
闸门保护
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5 A
漏极-源极导通最大电阻
1 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.75 W
2SK679A-AZ拓展信息








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