70121S55JG详情
Renesas 70121S55JG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
4-SMD, No Lead
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
52-PLCC (19.13x19.13)
Product Status
活跃
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Package
Bulk
Memory Types
Volatile
系列
SXT324
操作温度
-10°C ~ 70°C
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
类型
兆赫晶体
技术
SRAM - Dual Port, Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
频率
28.63636 MHz
频率稳定性
±25ppm
ESR(等效串联电阻)
50 Ohms
内存大小
18Kbit
负载电容
17pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±20ppm
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
组织的记忆
2K x 9
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
-
70121S55JG拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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