Renesas 7025S35JG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

84-LCC (J-Lead)

表面安装

YES

供应商器件包装

84-PLCC (29.31x29.31)

终端数量

84

RoHS

Non-Compliant

Package

Tray

Base Product Number

7025S35

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

QCCJ,

Package Style

CHIP CARRIER

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

7025S35JG

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.05

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

功能数量

1

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PQCC-J84

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

128Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

35 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8KX16

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

记忆密度

131072 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

组织的记忆

8K x 16