70T651S10DRG
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Renesas 70T651S10DRG

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型号

70T651S10DRG

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-70T651S10DRG

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9Mbit 256K X 72 10ns 208-Pin PQFP

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70T651S10DRG详情

Renesas 70T651S10DRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Lead, Tin

  • 底架

    通孔

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 包装

    Tape & Reel

  • 容差

    2 %

  • 温度系数

    100 ppm/°C

  • 电阻

    20 Ω

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 军用标准

    MIL-PRF-39017

  • 记忆密度

    9

  • 长度

    4.75 mm

  • 直径

    1.68 mm

  • 辐射硬化

0个相似型号

70T651S10DRG拓展信息

RMLV0816BGSA-4S2#AA0
RMLV0816BGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-5SI#B0
R1LP0408DSP-5SI#B0

Renesas Electronics America

71V416S12PHGI
71V416S12PHGI

Renesas Electronics America Inc.

R1LP0408DSP-5SI#S0
R1LP0408DSP-5SI#S0

Renesas Electronics America

71V256SA15PZGI8
71V256SA15PZGI8

Renesas Electronics America Inc.

IDT71V256SA15PZ
IDT71V256SA15PZ

Renesas Electronics America Inc.

R1LV0108ESN-5SI#B0
R1LV0108ESN-5SI#B0

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71V416S15PHGI8
71V416S15PHGI8

Renesas Electronics America Inc.

RMLV0408EGSB-4S2#AA1
RMLV0408EGSB-4S2#AA1

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R1LV0408DSB-5SI#B0
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