Renesas 70V07L20JI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-253-4, TO-253AA

供应商器件包装

SOT-143

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

35mA

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

内存大小

256Kbit

功率 - 最大

200mW

访问时间

20 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

增益

12dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

10V

频率转换

10GHz

噪音数字(分贝类型@ f)

1.8dB @ 2GHz

组织的记忆

32K x 8