Renesas 71T75902S75PF

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

100

终端数量

100

Manufacturer Part Number

ASW2L00-B-W/AWR1

Manufacturer

IDEC

RoHS

Non-Compliant

Package Description

LQFP, QFP100,.63X.87

Package Style

FLATPACK, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

QFP100,.63X.87

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Clock Frequency-Max (fCLK)

100 MHz

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LQFP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

QFP

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

鸥翼

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

not_compliant

频率

100 MHz

引脚数量

100

JESD-30代码

R-PQFP-G100

资历状况

不合格

工作电源电压

2.5 V

电源电压-最大值(Vsup)

2.625 V

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.375 V

最大电源电压

2.625 V

最小电源电压

2.375 V

端口的数量

1

电源电流

275 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.275 mA

访问时间

7.5 ns

组织结构

1MX18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

20 b

密度

18 Mb

待机电流-最大值

0.04 A

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Synchronous

字长

18 b

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.38 V

宽度

14 mm

长度

20 mm