Renesas 71V3557S75BQ

表面安装

YES

终端数量

165

RoHS

Non-Compliant

Package Description

13 X 15 MM, FBGA-165

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

71V3557S75BQ

Clock Frequency-Max (fCLK)

100 MHz

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.49

Part Package Code

BGA

容差

0.1 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

电阻

796 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

额定功率

125 mW

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.465 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.275 mA

组织结构

128KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.04 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

宽度

13 mm

长度

15 mm

无铅

含铅