CA3260W详情
Renesas CA3260W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)
Product Status
活跃
Package
Bulk
Voltage - Supply Span (Max)
16 V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
4 MHz
Voltage - Supply Span (Min)
4 V
系列
QFET®
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
输出类型
-
电路数量
2
电流源
9mA (x2 Channels)
压摆率
10V/µs
放大器类型
CMOS
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
880 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
800 V
Vgs(最大值)
±30V
电压 - 输入断态
6 mV
输出/通道电流
22 mA
场效应管特性
-
CA3260W拓展信息
Renesas Electronics America Inc.
Renesas
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.








哦! 它是空的。