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'h5n2519p'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 达到SVHC | 无铅 | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H5N2519P-E | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 4 | 3 | SILICON | Compliant | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | 1 | PLASTIC/EPOXY | PRSS0004ZE-A4 | 未说明 | 125 °C | 有 | H5N2519P-E | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | 1 | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.38 | TO-3P | 65 A | e2 | 有 | EAR99 | 锡铜 | FET 通用电源 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | R-PSFM-T3 | 不合格 | Renesas | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | 250 V | N-CHANNEL | 65 A | 65 A | 0.035 Ω | 195 A | 250 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150 W | compliant | 无铅 |
哦! 它是空的。