Renesas H7N0602LS

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

H7N0602LS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Hitachi Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HITACHI LTD

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

85 A

容差

0.1 %

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

96.5 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

FET 通用电源

额定功率

125 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

85 A

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

340 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100 W

高度

650 µm