Renesas HAF2011-90STR

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HAF2011-90STR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.13

Part Package Code

SC-83

Drain Current-Max (ID)

40 A

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN OVER TEMPERATURE SHUT-DOWN CIRCUIT, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40 A

漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W