HAT1069C详情
Renesas HAT1069C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HAT1069C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
4 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4 A
漏极-源极导通最大电阻
0.093 Ω
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.9 W
HAT1069C拓展信息








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