Renesas HAT2080T-EL-E

包装/外壳

Cylinder

表面安装

YES

供应商器件包装

--

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PTSP0008JB-A8

Reflow Temperature-Max (s)

20

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT2080T-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.84

Part Package Code

TSSOP

Drain Current-Max (ID)

1.2 A

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

MediaSensor™

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

8 V ~ 30 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

输出量

1 V ~ 5 V

引脚数量

8

终端样式

72 Integral Harness

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

输出类型

Analog Voltage

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

准确性

±0.5%

晶体管应用

SWITCHING

工作压力

1000 PSI (6894.76 kPa)

压力类型

密封压力表

端口样式

Threaded

极性/通道类型

N-CHANNEL

端口尺寸

Male - 1/4 (6.35mm) NPT

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.85 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6 A

最大压力

3000 PSI (20684.27 kPa)

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.3 W

特征

--