Renesas HAT2196C-EL-E

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

6-CMFPAK

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

Renesas

Power Dissipation (Max)

850mW (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PWSF0006JA-A6

Operating Temperature-Max

150 °C

Peak Reflow Temperature-Max (s)

20

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT2196C-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.82

Part Package Code

CMFPAK

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

操作温度

150°C

系列

-

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

58mOhm @ 1.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.093 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.85 W

场效应管特性

-