Renesas HAT2200R-EL-E

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSP0008DD-D8

Reflow Temperature-Max (s)

20

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT2200R-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.36

Part Package Code

SOP

Drain Current-Max (ID)

8 A

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

达到SVHC

compliant