HAT2215R-EL-E详情
Renesas HAT2215R-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Cylinder
表面安装
YES
供应商器件包装
--
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
20
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HAT2215R-EL-E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.34
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
3.4 A
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
MediaSensor™
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
电压 - 供电
5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
输出量
0.5 V ~ 4.5 V
引脚数量
8
终端样式
M12, 4 Pin
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
输出类型
Analog Voltage
Brand Name
Renesas
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
准确性
±0.5%
晶体管应用
SWITCHING
工作压力
500 PSI (3447.38 kPa)
压力类型
Absolute
端口样式
Threaded
极性/通道类型
N-CHANNEL
端口尺寸
Male - 7/16 (11.11mm) UNF
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.4 A
漏极-源极导通最大电阻
0.145 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20.4 A
最大压力
--
DS 击穿电压-最小值
80 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.2 W
特征
Amplified Output, Temperature Compensated
HAT2215R-EL-E拓展信息








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