Renesas HAT2218R-EL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOP

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.5A, 8A

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

功率 - 最大

1.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Rds On(Max)@Id,Vgs

24mOhm @ 3.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive