HM4-65162B/883详情
Renesas HM4-65162B/883重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Access Time-Max
70 ns
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Manufacturer Part Number
HM4-65162B/883
Number of Words
2048 words
Number of Words Code
2000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Description
,
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Part Life Cycle Code
接触制造商
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.28
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
锡铅
附加功能
ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CQCC-N32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
2KX8
内存宽度
8
记忆密度
16384 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
HM4-65162B/883拓展信息








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