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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥88.567674
10
¥83.554407
100
¥78.824908
500
¥74.363126
1000
¥70.15389
HN58V65ATI10E详情
Renesas HN58V65ATI10E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
28
终端数量
28
Supplier Package
TSOP
Hardware Data Protection
有
Interface Type
Parallel
Data Retention
10 Year
Mounting
表面贴装
Package
Bulk
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
活跃
Package Description
TSOP1, TSSOP28,.53,22
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP28,.53,22
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
100 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HN58V65ATI-10E
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.6 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS TECHNOLOGY CORP
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TSOP
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-20 to 85 °C
系列
*
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
电压 - 供电
2.7, 5.5 V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.55 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源
3/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
8K x 8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
密度
64 Kb
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
Industrial
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
EEPROM
编程电压
2.7 to 5.5 V
写入周期时间 - 最大值
10 ms
数据轮询
YES
拨动位
YES
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
2.7 V
命令用户界面
NO
页面尺寸
64 words
准备就绪/忙碌
YES
宽度
8 mm
长度
11.8 mm
HN58V65ATI10E拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America







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