HS9-80C86RH-Q
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Renesas HS9-80C86RH-Q

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型号

HS9-80C86RH-Q

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-HS9-80C86RH-Q

商品类别

嵌入式 - 微处理器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MPU 16-Bit CMOS 5MHz 42-Pin CFPAK

起订量

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HS9-80C86RH-Q
HS9-80C86RH-Q Renesas MPU 16-Bit CMOS 5MHz 42-Pin CFPAK

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HS9-80C86RH-Q详情

Renesas HS9-80C86RH-Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    42

  • Dimensions

    32,6x27,6x29,8mm

  • RoHS

  • Mounting

    Encapsulated PCB

  • Package Description

    DFP, FL42,.7

  • Package Style

    FLATPACK

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Equivalence Code

    FL42,.7

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Supply Voltage-Nom

    5 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    NOT APPLICABLE

  • Supply Voltage-Min

    4.5 V

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HS9-80C86RH-Q

  • Clock Frequency-Max

    5 MHz

  • Package Code

    DFP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Intersil Corporation

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERSIL CORP

  • Supply Voltage-Max

    5.5 V

  • Risk Rank

    5.35

  • Part Package Code

    DFP

  • Usage Level

    Military grade

  • 系列

    n/a

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A001.A.2.C

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    QUALIFIED TO MIL-38535-V

  • HTS代码

    8542.31.00.01

  • 子类别

    Microprocessors

  • 额定功率

    2,8 VA

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT APPLICABLE

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    42

  • JESD-30代码

    R-CDFP-F42

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 注意

    n/a

  • 速度

    5 MHz

  • uPs/uCs/外围ICs类型

    MICROPROCESSOR

  • 位元大小

    16

  • 座位高度-最大

    2.54 mm

  • 地址总线宽度

    20

  • 边界扫描

    NO

  • 低功率模式

    YES

  • 筛选水平

    MIL-PRF-38535 Class V

  • 外部数据总线宽度

    16

  • 格式

    固定点

  • 集成缓存

    NO

  • 保险丝

    short-circuit proof

  • 二次电流

    0,156; 0,156 A

  • 总剂量

    100k Rad(Si) V

  • 宽度

    16.255 mm

  • 长度

    26.925 mm

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