HZ12B3TD详情
Renesas HZ12B3TD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
Radial
安装类型
通孔
表面安装
NO
介电材料
Polypropylene (PP), Metallized
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Voltage Rating AC
600V
Voltage Rating DC
1000V (1kV)
Product Status
活跃
厂商
TAW ELECTRONICS, INC
Package
Bulk
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
HZ12B3TD
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Hitachi Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Risk Rank
5.43
系列
MKP 10
操作温度
-55°C ~ 105°C
尺寸/尺寸
1.634 L x 0.512 W (41.50mm x 13.00mm)
容差
±10%
终端
PC引脚
ECCN 代码
EAR99
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
0.33 µF
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
引线间距
1.476 (37.50mm)
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
JEDEC-95代码
DO-35
工作测试电流
5 mA
反向电流-最大值
1 µA
特征
-
座位高度(最大)
0.945 (24.00mm)
评级结果
-
HZ12B3TD拓展信息








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