Renesas HZ9A3-N

底架

通孔

表面安装

NO

质量

6.500007 g

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package Description

O-XALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

8.3 V

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HZ9A3-N

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.79

Part Package Code

DO-35

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

最大功率耗散

350 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

最大电压允差

2.41%

集电极发射器电压(VCEO)

2 V

最大集电极电流

50 A

反向恢复时间

170 ns

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

5 mA

动态阻抗-最大值

20 Ω

无铅

无铅