HZS2B3TD-E详情
Renesas HZS2B3TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module, Single Pass Through
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Box
Current Sensing
±200A
厂商
霍尼韦尔传感与生产力解决方案
Product Status
活跃
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HZS2B3TD-E
Power Dissipation (Max)
0.4 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.62
Part Package Code
DO-34
操作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
系列
CS
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.10.00.50
技术
ZENER
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
45kHz
输出量
Ratiometric, Voltage
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
最大电流源
16mA
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
通道数量
1
极化
双向
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
准确性
±2%
回应时间
6µs
JEDEC-95代码
DO-34
传感器类型
Hall Effect, Open Loop
工作测试电流
5 mA
线性
±1%
敏感度
10mV/A
用于测量
AC/DC
HZS2B3TD-E拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc








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