HZS9B2LTD-E详情
Renesas HZS9B2LTD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
4-EDIP (0.321, 8.15mm)
表面安装
NO
供应商器件包装
DBL-1
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
DB153
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
活跃
Package Description
DO-34, 2 PIN
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
8.7 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HZS9B2LTD-E
Power Dissipation (Max)
0.4 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.65
Part Package Code
DO-34
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
Standard
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
单相
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 1.5 A
箱体转运
ISOLATED
平均整流电流(Io)
1.5 A
JEDEC-95代码
DO-34
工作测试电流
0.5 mA
电压 - 峰值反向(最大值)
200 V
HZS9B2LTD-E拓展信息








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